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05.01.2004

08:35 Uhr

Durchbruch bei der Entwicklung kleinerer Transistoren

Forscher nehmen Hürde beim Bau kleiner Chips

Bei der Suche nach einem Material, mit dem künftig kleinere und leistungsfähigere Transistorgenerationen hergestellt werden können, ist Wissenschaftlern der Technischen Universitäten in Clausthal und Wien jetzt der Durchbruch gelungen.

HB/hsn DÜSSELDORF. Sie haben mitels Computersimulation den Herstellungsprozess einer Oxidschicht mit Strontiumtitanat untersucht und herausgefunden, wie man deren isolierenden Eigenschaften optimieren kann.

Je kleiner die Transistoren, desto schneller können sie schalten. Dadurch werden auch die Prozessoren immer schneller. Damit ein Transistor funktioniert, benötigt man eine dünne, isolierende Schicht, das Gatteroxid. Diese Schicht wird in wenigen Jahren nur noch ein Fünfzigtausendstel eines menschlichen Haares dick sein. Setzt man weiterhin Siliziumdioxid als Gatteroxid ein, kann man die Transistoren nicht weiter verkleinern und keine schnelleren Chips bauen.

Strontiumtitanat hat sich als eine aussichtsreiche Alternative zu Siliziumoxid herauskristallisiert, doch bislang wusste man nicht, wie das neue Gatteroxid auf den Siliziumwafer aufgebracht werden kann. Dank der Computersimulation ist es dem Forscherteam nun gelungen, diesen Vorgang Atom für Atom zu entschlüsseln. Außerdem haben sie herausgefunden, wie die elektrischen Eigenschaften der Oxidschicht beeinflusst werden könnte.

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