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03.03.2023

15:26

Chipindustrie

Infineon kündigt Übernahme an und stärkt Geschäft mit neuartigen Leistungshalbleitern

Der Dax-Konzern zahlt 830 Millionen Dollar für GaN Systems. Die Kanadier gehören nach Angaben von Infineon zu den weltweit führenden Anbietern von Galliumnitrid-Halbleitern.

Der Chipkonzern möchte sein Geschäft mit einer Übernahme stärken. dpa

Chipkonzern Infineon

Der Chipkonzern möchte sein Geschäft mit einer Übernahme stärken.

München Der Chipkonzern Infineon verspricht sich von der Übernahme der kanadischen GaN Systems Wachstum im Geschäft mit neuartigen Leistungshalbleitern für Ladestationen. Die Produkte des Unternehmens aus Ottawa ergänzten das Infineon-Portfolio, sagte Infineon-Manager Adam White der Nachrichtenagentur Reuters am Freitag.

Er verwies auf Marktprognosen, wonach die weltweiten Erlöse mit solchen Galliumnitrid-Produkten bis 2027 auf zwei Milliarden Dollar steigen sollen. „Wir gehen davon aus, dass diese Zahlen eher konservativ sind“, sagte White. Allerdings äußerte er sich nicht dazu, welches Umsatzwachstum durch den Zukauf genau zu erwarten sei.

Infineon zahlt 830 Millionen Dollar für GaN Systems; der Zukauf wird aus den liquiden Mitteln finanziert. GaN Systems beschäftigt mehr als 200 Menschen. Die Kanadier gehören nach Infineon-Angaben zu den weltweit führenden Anbietern von Galliumnitrid-Halbleitern, die unter anderem in Ladegeräten für Elektroautos und Mobilgeräte, in Solarwechselrichtern oder bei der Stromversorgung von Rechenzentren genutzt werden.

Die Zustimmung der Behörden zu der Übernahme steht noch aus. An der Börse wurde der Zukauf mit Kursgewinnen aufgenommen: Die Infineon-Aktie legte 1,7 Prozent zu.

Galliumnitrid gilt zusammen mit Siliziumkarbid als Zukunftstechnologie bei der Steuerung des Stromverbrauchs unter anderem in Elektroautos oder Ladestationen. Mit dem Material können Energieverluste beim Laden verringert werden, die sich als Abwärme zeigen.

Derzeit baut Infineon für zwei Milliarden Euro seine Fabrik im malaysischen Kulim aus, in der Produkte auf Basis von Siliziumkarbid und Galliumnitrid gefertigt werden sollen. Die Anlage soll in der zweiten Jahreshälfte 2024 den Betrieb aufnehmen.

Von

rtr

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